HBM技术路线之争：杀鸡焉用牛刀的键合工艺博弈

   半导体设备巨头韩美半导体董事长郭东信日前抛出行业惊人之语：在HBM4/5内存生产中强推混合键合技术，无异于“杀鸡用牛刀”。这番犀利点评直指当前存储产业的技术路线之争，也揭开了高端内存制造背后鲜为人知的成本与技术博弈。

   随着AI算力需求爆发，高带宽内存（HBM）成为芯片行业的黄金赛道。作为英伟达HBM3E内存九成键合工序的操刀者，韩美半导体凭借热压缩键合（TC）设备占据全球九成市场份额。但近期行业传出风声，部分厂商计划在下一代HBM4中导入混合键合技术，引发郭东信的强硬回应。

   支撑其观点的是一组关键数据：单台混合键合设备价格突破100亿韩元（约5190万人民币），是传统TC键合机的两倍有余。更关键的是，行业标准组织JEDEC四月放宽技术规范，将HBM4堆叠高度上限设定为775微米，这恰好落在TC键合机的能力射程内。在郭东信看来，此时强推混合键合实属资源浪费。

   技术替代的争议背后暗藏商业逻辑。韩美半导体正将TC键合机市场占有率目标锁定在95%以上，同时紧锣密鼓布局下一代产品线：今年推出无助焊剂键合设备，2027年量产混合键合设备。这种阶梯式创新节奏，折射出企业对技术迭代与经济效能的精准平衡。

   但产业变革的脚步从未停歇。就在上周，美光向客户交付12层堆叠的36GBHBM4样品，其传输速率突破2TB/s大关。几乎同时，另一家韩国巨头LG电子突然宣布进军混合键合设备领域，目标2028年量产。而三星与SK海力士内部消息显示，两家存储龙头正秘密测试16层以上堆叠方案，混合键合技术被视为突破物理极限的钥匙。

   这场博弈的核心在于技术路线的分岔口。混合键合采用无凸块铜-铜键合，能将芯片间距压缩50%以上，散热效率提升20%，无疑是突破16层堆叠瓶颈的利器。但对仍在8-12层徘徊的HBM4/5而言，传统TC键合已能实现0.9TB/s的传输速率，且设备成熟度与良率更具优势。

   多位设备行业人士透露，存储巨头们其实脚踏两条船：三星计划年底启动混合键合试产，SK海力士则将其列为HBM4E的备选方案。这种战略摇摆背后，是对量产量本与性能提升的艰难取舍。正如晶圆厂工程师的调侃：“用价值十亿的设备键合DRAM芯片，堪比拿手术刀切水果。”

   当AI服务器功耗突破千瓦大关，内存能效已成生死线。郭东信的“杀鸡论”表面质疑技术过剩，实则揭露产业真相——在算力狂飙的时代，半导体工艺演进既要比拼技术创新，更要精算商业回报。随着韩美半导体第六工厂投产，月产能爬升至22台，这场关于键合工艺的路线之争，终将由HBM量产成本与良率数字定胜负。