三星王座崩塌，SK海力士终结33年DRAM霸权

   全球DRAM行业的权力格局在2025年夏天迎来历史性断裂。8月17日披露的市场数据显示，韩国芯片制造商SK海力士以36.3%的营收市占率，将三星电子从盘踞33年的全球DRAM霸主宝座掀落。三星份额骤降至32.7%，创下自1999年有记录以来的最大跌幅——较去年末蒸发8.8个百分点，十年来首次跌破40%红线。

   这场颠覆背后，人工智能的算力饥渴成为关键变量。当英伟达GPU成为AI工厂的心脏，高带宽内存（HBM）便是维持心脏搏动的血液。而SK海力士自2024年3月起牢牢握住了向英伟达供血的独家管道，其HBM3E产品在英伟达数据中心攻城略地。尽管三星同期向AMD和博通供应HBM3E，但缺席英伟达生态使其错失AI浪潮的最大红利。据Counterpoint数据，HBM已占SK海力士DRAM营业利润的54%。

   **美国市场的爆发性增长为SK海力士提供了决定性推力**。2025上半年，其美国子公司销售额达24.7万亿韩元，同比激增103%。7月末英伟达高管团队专程造访SK海力士美国研发中心的画面，被业界解读为双方战略捆绑的具象宣言。资本市场的天平随之倾斜：散户投资者数量增长21.3%，超越三星的18.9%，即便绝对数量尚有差距，增长势头却折射出市场信心的迁移。

   技术断层才是真正的护城河。当三星仍在为通过英伟达12层HBM3E认证苦苦挣扎——甚至传出放弃8层版本专攻12层的背水一战——SK海力士早在2024年9月便启动12层HBM3E量产。更致命的差距在制造前线：8月初SK海力士宣布在1c纳米制程实现6层EUV光刻技术突破，晶圆良率飙升至80%-90%。三天后，基于1cnm工艺的LPDDR5x内存亮相，10.7Gbps的传输速率再度刷新行业天花板。

   三星的18万亿韩元研发投入和特斯拉AI芯片的代工协议，更像是绝望中的防守。封装专家急聘、定制HBM路线图提速，这些举措暴露了其技术追赶的仓促。而特斯拉订单需待到2028年才可能贡献营收，远水难解近渴。

   存储产业的权杖交接从来不只是数字游戏。当HBM产量开始牵动整体DRAM产能分配，当每10%的AI服务器增量就吞噬数万片晶圆，SK海力士的登顶标志着行业游戏规则的质变：DRAM已从通用型商品进化为AI生态的核心战略资源。这场围绕纳米级电路展开的战争，终将决定人类智能机器的进化速度。